光磁電效應(yīng)的概念 越詳細(xì)越好

光磁電效應(yīng)是指在垂直于光束照方向施加外磁場(chǎng)時(shí)半導(dǎo)體兩側(cè)面間產(chǎn)生電位差的現(xiàn)象。其機(jī)制是：光照射到半導(dǎo)體表面后生成非平衡載流子的濃度梯度，使載流子產(chǎn)生定向擴(kuò)散速度，磁場(chǎng)作用在載流子上的洛侖茲力使正負(fù)載流子分離，形成端面電荷累積的電位差和橫向電場(chǎng)。當(dāng)作用在載流子上的洛侖茲力與橫向電場(chǎng)的電場(chǎng)力平衡時(shí)，兩端面的電位差保持不變。雖然，光磁電效應(yīng)與霍爾效應(yīng)相似，但是它們是不同的效應(yīng)。霍爾效應(yīng)中載流子的定向運(yùn)動(dòng)是由外電場(chǎng)引起的，而光磁電效應(yīng)是由外磁場(chǎng)引起的，且兩類效應(yīng)的載流子運(yùn)動(dòng)方向相反，但形成的電流方向卻相同。利用光磁電效應(yīng)可制成半導(dǎo)體紅外探測(cè)器。這類半導(dǎo)體材料有Ge、InSb、InAs、PbS、CdS等。