p型n型半導(dǎo)體的區(qū)別

不帶電。這只是他們內(nèi)部顯現(xiàn)出來的特性。因?yàn)槭前雽?dǎo)體，內(nèi)部有兩種可移動(dòng)的載流子，因?yàn)榧尤肓似渌s質(zhì)，使得其中的載流子數(shù)量不等，故有N型P型之分。如果兩者帶有正電和負(fù)電，那么對外就會(huì)顯示電屬性，而不是電中性

半導(dǎo)體是中性物。在激發(fā)態(tài)才是
P型半導(dǎo)體，也叫空穴半導(dǎo)體，在硅中摻雜了3價(jià)的鋁元素，與周圍硅4價(jià)形成共價(jià)結(jié)合，缺一個(gè)電子，形成空穴。這樣是相當(dāng)于帶正電的粒子。
N型半導(dǎo)體，也叫電子半導(dǎo)體，在硅中摻雜5價(jià)磷，和硅4價(jià)，結(jié)合共價(jià)后，多一個(gè)自由電子。
當(dāng)PN結(jié)組合形成二極管結(jié)構(gòu)，就利用PN結(jié)的特性。

不對，載流子指可移動(dòng)的電荷，半導(dǎo)體內(nèi)還有不可移動(dòng)的電荷，比如帶正電的原子核，這樣就能與N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子平衡，維持電中性條件了

還有空穴是一個(gè)概念性的東西，實(shí)際是不存在的。

P型半導(dǎo)體
在純凈的硅晶體中摻入三價(jià)元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導(dǎo)電。摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。

既然空穴是因?yàn)槿鄙匐娮拥木壒剩钥梢哉J(rèn)為其帶正電，由于周圍的電子的熱運(yùn)動(dòng)時(shí)而會(huì)被這個(gè)顯正電的‘空穴’所補(bǔ)獲，而這個(gè)空穴得到了電子不顯電性了，但是別處失去電子也會(huì)形成一個(gè)‘空穴’，又會(huì)有一個(gè)周圍的電子來填充，同時(shí)周圍失去電子又會(huì)形成一個(gè)‘空穴’但是空穴在什么位置是無規(guī)律的，如果加上電場形成電勢差就會(huì)使其朝一定方向移動(dòng)，形成電流。

P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體硅中加入3價(jià)元素鍺形成的，本征半導(dǎo)體是一種晶格結(jié)構(gòu)，每一個(gè)硅原子都會(huì)和它四周的硅原子形成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，在常溫下由于熱運(yùn)動(dòng)，最外層的硅原子就會(huì)掙脫原子核的束縛成為自由電子，失去電子后在原來的地方就留下一個(gè)空位，這就叫空穴。在本征半導(dǎo)體中加入3價(jià)元素鍺后，某些硅原子就會(huì)被鍺原子取代，鍺原子最外層只有3個(gè)電子，它和四周的硅原子形成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)時(shí)，還缺少一個(gè)電子，所以可以認(rèn)為每一個(gè)鍺原子都提供一個(gè)空穴。

n型半導(dǎo)體是里面加了一些帶自由電子的原子參雜，是穩(wěn)態(tài)的，這些電子雖然比空穴多，但是受核子的束縛。

在本征半導(dǎo)體 也就是純凈的硅中 加入少量三價(jià)的元素 使每一個(gè)三價(jià)元素取代一個(gè)四價(jià)元素的位置 三價(jià)元素會(huì)與周圍的四價(jià)元素形成共價(jià)鍵 然后三價(jià)元素周圍的四個(gè)共價(jià)鍵中 會(huì)有一個(gè)共價(jià)鍵缺少一個(gè)電子 接著它就會(huì)從相鄰的共價(jià)鍵中獲取一個(gè)電子 然后這個(gè)位置上 就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)空穴

《我和我的老師》

不帶電。n型半導(dǎo)體是指在本征半導(dǎo)體中加入五價(jià)元素，每一個(gè)五價(jià)元素原子與四個(gè)四價(jià)半導(dǎo)體元素原子形成四對共用電子對（每一對電子對由半導(dǎo)體元素原子與該五價(jià)元素原子各提供一個(gè)電子），這樣五價(jià)元素原子因四對八個(gè)共用電子而達(dá)到最外層電子穩(wěn)定，于是多出來的一個(gè)電子（因?yàn)樾纬晒灿秒娮訉r(shí)五價(jià)元素原子只貢獻(xiàn)了4個(gè)電子）就成為自由電子，這就是n型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子。但是盡管如此，n型半導(dǎo)體還是不帶電。因?yàn)榧尤胛鍍r(jià)元素后所有原子的質(zhì)子數(shù)與所有原子的電子數(shù)仍然相等，在加入五價(jià)元素后，在載流子的形成過程中不存在系統(tǒng)對外電子的失去或得到。因此整個(gè)系統(tǒng)還是靜電平衡，因此，不帶電。半導(dǎo)體一般分為本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體根據(jù)摻入元素價(jià)態(tài)的不同又分為n型半導(dǎo)體（摻入五價(jià)元素）與p型半導(dǎo)體（摻入三價(jià)元素）。本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差，其中電子和空穴都參與導(dǎo)電，而電子和空穴都是熱激發(fā)形成的。因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性具有溫度敏感性。雜質(zhì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性能要好于本征半導(dǎo)體。同時(shí)雜質(zhì)半導(dǎo)體主要是多子（多數(shù)載流子）導(dǎo)電。這是因?yàn)槲鍍r(jià)或三價(jià)元素?fù)饺氲倪^程使多子數(shù)量遠(yuǎn)多于少子數(shù)量。其中n型半導(dǎo)體多子為自由電子，p型半導(dǎo)體多子為空穴。因?yàn)殡s質(zhì)半導(dǎo)體多子數(shù)量主要和摻入雜質(zhì)數(shù)量有關(guān)，因此其多子幾乎不受溫度影響。但其導(dǎo)電性對溫度也比較敏感，這是因?yàn)橘|(zhì)半導(dǎo)體中的少子還是受熱激發(fā)產(chǎn)生的，因此也受溫度影響。